Приборы полупроводниковые
Физические элементы полупроводниковых приборов
Электрический переход - (Переход, Elektrischer Ubergang (Sperrschicht),
Junction) – переходный слой в полупроводниковом материале между двумя
областями с различными типами электропроводности или разными значениями
удельной электрической проводимости (одна из областей может быть
металлом).
Электронно-дырочный переход - (p‑n переход, pn‑Ubergang, P‑N Junction) –
электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из
которых имеет электропроводность n‑типа, а другая p‑типа.
Электронно-электронный переход - (n‑n+ переход, n‑n+‑Ubergang, N‑N+ junction) –
электрический переход между двумя областями полупроводника n‑типа,
обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Дырочно-дырочный переход - (p‑p+ переход, p‑p+‑Ubergang, P‑P+ junction) –
электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа,
обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной
электрической проводимостью.
Резкий переход (Steiler Ubergang, Abrupt junction) – электрический
переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси
значительно меньше толщины области пространственного заряда.
Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении
градиента концентрации примеси.
Плавный переход (Stetiger Ubergang, Graded junction) – электрический
переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси
сравнима с толщиной области пространственного заряда.
Плоскостной переход (Flachenubergang, Surface junction) – электрический
переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь,
значительно больше толщины
Точечный переход (Punktubergang, Point-contact junction) – электрический
переход, все размеры которого меньше характеристической длины,
определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.
Диффузионный переход (Diffundierter Ubergang, Diffused junction) –
электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в
полупроводнике.
Планарный переход (Planarubergang, Planar junction) – диффузионный
переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в
защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника.
Конверсионный переход (Konversionsubergang, Conversion junction) –
электрический переход, образованный в результате конверсии
полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область,
или активацией атомов примеси.
Сплавной переход (Legierter Ubergang, Alloyed junction) – электрический
переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и
последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и
(или) акцепторные примеси.
Микросплавной переход (Mikrolegierter Ubergang, Micro-alloy junction) –
сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину
слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность
полупроводника.
Выращенный переход (Gezogener Ubergang, Grown junction) – электричеcкий
переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава.
Эпитаксиальный переход (Epitaxieubergang, Epitaxial junction) –
электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.
Эпитаксиальное наращивание – создание на монокристаллической подложке
слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки.
Гетерогенный переход (гетеропереход, Heteroubergang, Heterogenous
junction) – электрический переход, образованный в результате контакта
полупроводников с различной шириной запрещенной зоны.
Гомогенный переход (гомопереход, Homogener Ubergang, Homogenous junction) –
электрический переход, образованный в результате контакта
полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны.
Переход Шоттки (Schottky Ubergang, Schottky junction) – электрический
переход, образованный в результате контакта между металлом и
полупроводником.
Выпрямляющий переход (Gleichrichterubergang, Rectifying junction) –
электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном
направлении тока больше, чем при другом.
Омический переход (Ohmischer Ubergang, Ohmic junction) – электрический
переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления
тока в заданном диапазоне значений токов.
Эмиттерный переход (Emitterubergang, Emitter junction) – электрический
переход между эмиттерной и базовой областями полупроводникового прибора.
Коллекторный переход (Kollektorubergang, Collector junction) –
электрический переход между базовой и коллекторной областями
полупроводникового прибора.
Дырочная область (p‑область, Defektelektronengebiet, P‑region) – область
в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью.
Электронная область (n‑область, Elektronengebiet, N‑region) – область в
полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью.
Область собственной электропроводности (i‑область, Eigenleitungsgebiet,
Intrinsic region) – область в полупроводнике, обладающая свойствами
собственного полупроводника.
Базовая область (База, Basisgebiet, Base region) – область
полупроводникового прибора, в которую инжектируются неосновные для этой
области носители заряда.
Эмиттерная область (Эмиттер, Emittergebiet, Emitter region) – область
полупроводникового прибора, назначением которой является инжекция
носителей заряда в базовую область.
Коллекторная область (Коллектор, Kollektorgebiet, Collector region) –
область полупроводникового прибора, назначением которой является
экстракция носителей из базовой области.
Активная часть базовой области биполярного транзистора (Aktiver Teil des
Basisgebietes eines bipolaren Transistors, Active part of base region) –
часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или
рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения
их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
Пассивная часть базовой области биполярного транзистора (Passiver Teil
des Basisgebietes eines bipolaren Transistors, Passive part of base
region) – часть базовой области биполярного транзистора, в которой для
накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время
большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к
коллекторному переходу.
Проводящий канал (Kanal, Channel) – область в полупроводнике, в которой
регулируется поток носителей заряда.
Исток (Source, Sourse) – электрод полевого транзистора, через который в
проводящий канал втекают носители заряда.
Сток (Drain, Drain) – электрод полевого транзистора, через который из
проводящего канала вытекают носители заряда.
Затвор (Gate, Gate) – электрод полевого транзистора, на который подается
электрический сигнал.
Структура полупроводникового прибора (Структура, Struktur eines
Halbleiterbauelementes, Structure) – последовательность граничащих друг
с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности
или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение
полупроводниковым прибором его функций.
Примечания: 1. Примеры структур полупроводниковых приборов: p‑n; p‑n‑p;
p‑i‑n; p‑n‑p‑n и др.
2. В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик.
Структура металл-диэлектрик-полупроводник (Структура МДП,
Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MIS-Struktur), MIS-Strusture) –
структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика
и полупроводника.
Структура металл-окисел-полупроводник (Структура МОП,
Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (MOS-Struktur), MOS-Strusture) –
структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на
поверхности полупроводника и полупроводника.
Мезаструктура (Mesastruktur, Mesa-structure) – структура, имеющая форму
выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла
полупроводника либо наращиванием.
Обедненный слой (Verarmungsschicht, Depletion layer) – слой
полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше
разности концентрации ионизированных доноров и акцепторов.
Запирающий слой (Sperrschicht, Barrier region (layer)) – обедненный слой
между двумя областями полупроводника с различными типами
электропроводности или между полупроводником и металлом.
Обогащенный слой (Anreicherungsschicht, Enriched layer) – слой
полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше
разности концентрации ионизированных доноров и акцепторов.
Инверсный слой (Inversionsschicht, Invertion layer) – слой у поверхности
полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа
электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием
электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического
поля у поверхностиили поля контактов разности потенциалов.
Современная клавиатура с подсветкой клавиш logitech.
Термины и определения
ГОСТ 15133-77 (СТ СЭВ 2767-80)
