Условные  обозначения  параметров полупроводниковых диодов, стабилитронов, варикапов.

   

Обозначение

Параметр

   
Uоб/Uимп максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде

 

Uпр/Iпр максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (Iимп) прямой ток через диод.

 

Uпр/Iпр максимальное падение напряжения (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него.
 
Cд/Uд емкость диода (Cд) и напряжение на диоде (Uд), при котором она измеряется.

 

Io(25)/Ioм обратный ток диода при предельном обратном напряжении. Приводится для температуры +25 (Iо(25)) и максимальной рабочей температуры (Iом).

 

Fмах максимальная рабочая частота диода.

 

Tвос/Qпк(Iп/Uо) время восстановления (Твос) обратного сопротивления диода или заряд (Qпк) для его переключения при заданном прямом токе (Iп) и обратном напряжении (Uо).

 

Uст/Iст напряжение стабилизации (Uст) стабилитрона при заданном прямом токе (Iст) через него.

 

Iс1/Iс2 минимальный и максимальный токи стабилизации.

 

Iс1/Iс2 динамическое сопротивление (Rст) стабилитрона при заданном прямом токе (Iст) через него.
P/Pт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на диоде (P) и на диоде с теплоотводом (Pт).

 

ТКU температурный коэффициент изменения напряжения стабилизации стабилитрона.

 

dUст разброс номинального напряжения стабилизации (приводится максимальное отклонение в процентах или в вольтах).

 

Kc(U1-U2) емкость варикапа (Cв) и напряжение на нем (Uоб), при котором она измеряется. Приводятся минимальное и максимальное значения.

 

Kc(U1-U2) коэффициент перекрытия по емкости варикапа (отношение максимальной и минимальной емкости, измеряемой при двух заданных напряжениях).

 

Q(U/F) добротность варикапа. Измеряется на определенной частоте (F) и при определенном напряжении на варикапе (U) или при его заданной емкости.

 

Io/Uо обратный ток варикапа (Iо) при определенном обратном напряжении (Uо).
      
   
(*) - для импульсного режима.
     "т" -типовое значение.